• Roadmap: Intel SSD com Drive de 2TB em 2014

    Um roadmap vazado da Intel para dispositivos de estado sólido (SSD - Solid State Device) sugere que a companhia está avançando com seus planos de introduzir drives mais possantes baseados na tecnologia-de-ponta flash NAND. É significante para a Intel estar adotando o NAND de 20nm de tecnologia em seus produtos de alta-tecnologia voltados para data centers, devido aos desafios dos nódulos NAND menores apresentados em termos de retenção de dados e confiabilidade.


    Vale ressaltar que a Intel introduziu o NAND de 20nm na sua linha de produtos há mais de u ano, mas aparentemente esperou até o momento para trazer os produtos de alto-desempenho om essa tecnologia. Reportadamente, no próximo ano a Intel deverá lançar três novas famílias de drivers: a SSD Pro 2500 Series (codinome Temple Star), a DC P3500 Series (codinome Pleasantdale), e a DC P3700 Series (codinome Fultondale).

    A família Templestar utiliza os form factors M.2 e M.25, o que significa substituir o velho form factor do mSATA para ultrabooks e tablets. O padrão M.2 permite mais espaço nos PCBs par armazenamento NAND atual e pode interfacear com drivers de armazenamento com conexão do tipo PCIe, SATA e USB 3.0 no mesmo design. Os novos drivers empresariais de alto-desempenho irão atingir a faia dos 2TB (acima de 800GB), sendo embarcados em formato de 2,5 polegadas diagonais e com um cartão form factors add-in, além de oferecer uma enorme melhoria de desempenho.

    O atual série DC S3700 oferece uma taxa de transmissão de escrita de 500MBps e de leitura a 460MBps. Já a série DC P3700 irá ampliar sua taxa de leitura para 2800MBps (2,8GBps) e de escrita para 1700MBps (1,7GBps). A diferença primária entre as famílias DC P3500 e DC P3700, é que a família DC P3700 virá embarcada com a tecnologia Intel chamada MLC HET (High Endurance Technology), enquanto que a família DC P3500 virá embarcada com o MLC tradicional.

    O HET é um método da Intel para melhorar o rendimento e a confiabilidade do MLC. A companhia consegue isso de duas maneiras. A primeira, ea pega o melhor MLC NAND do wafer (a Intel havia indicado previamente que isso melhorava as característica de desempenho de 50 a 10 por cento). Em seguida ela configura a NAND para ciclos longos de leitura e escrita, algoritmos de gerenciamento adicional sofisticado, e uma quantidade acima do normal de espaço supre-provisionado.

    O impacto de rede desse refino é a criação de um tipo de Flash empresarial que pode suportar os requerimentos de um negócio do tipo empresarial através de ciclos maiores de leitura e escrita para esse segmento. Isso significa que a Intel descobriu uma maneira de garantir confiabilidade e longevidade contínua mesmo que os nódulos de processos sejam reduzidos. Isso se tornou uma espécie de cabo-de-guerra na tecnologia de processos, já que nódulos menores permitem maior economia de escala na produção de Flash, mas também diminui sua longevidade. Em 2014 a Intel finalmente estará utilizando apenas a tecnologia de 20 nm, participando integralmente desse segmento de mercado.

    Fonte:

    - Slashdot: Intel SSD Roadmap Points To 2TB Drives Arriving In 2014 (em Inglês)